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RQ6E045SNTR  与  RSQ045N03HZGTR  区别

型号 RQ6E045SNTR RSQ045N03HZGTR
唯样编号 A33-RQ6E045SNTR A33-RSQ045N03HZGTR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 950mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 38mOhms@4.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 10V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 4.5A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 38 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg 9.5nC@5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.5nC @ 5V
库存与单价
库存 2,969 1,570
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5394
100+ :  ¥1.974
300+ :  ¥1.6003
500+ :  ¥1.5237
1,000+ :  ¥1.4662
60+ :  ¥2.8748
100+ :  ¥2.2998
300+ :  ¥1.9261
500+ :  ¥1.8495
1,000+ :  ¥1.792
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E045SNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150℃(TJ) 30V

¥2.5394 

阶梯数 价格
60: ¥2.5394
100: ¥1.974
300: ¥1.6003
500: ¥1.5237
1,000: ¥1.4662
2,969 当前型号
RSQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

¥2.8748 

阶梯数 价格
60: ¥2.8748
100: ¥2.2998
300: ¥1.9261
500: ¥1.8495
1,000: ¥1.792
2,850 对比
RSQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

¥2.8748 

阶梯数 价格
60: ¥2.8748
100: ¥2.2998
300: ¥1.9261
500: ¥1.8495
1,000: ¥1.792
1,570 对比
RSQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

暂无价格 0 对比

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