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RQ6E035ATTCR  与  DMP3050LVT-7  区别

型号 RQ6E035ATTCR DMP3050LVT-7
唯样编号 A33-RQ6E035ATTCR-0 A3-DMP3050LVT-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.5A,10V 50mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-6 TSOT-26
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 4.5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥3.0089
100+ :  ¥2.1561
300+ :  ¥1.5811
500+ :  ¥1.4662
1,000+ :  ¥1.3799
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6

¥3.0089 

阶梯数 价格
50: ¥3.0089
100: ¥2.1561
300: ¥1.5811
500: ¥1.4662
1,000: ¥1.3799
3,000 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

¥1.0604 

阶梯数 价格
50: ¥1.0604
200: ¥0.8151
1,500: ¥0.7095
3,000: ¥0.66
3,640 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8) 150°C(TJ) 30 V 4.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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