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RQ5L030SNTL  与  RSR030N06HZGTL  区别

型号 RQ5L030SNTL RSR030N06HZGTL
唯样编号 A33-RQ5L030SNTL-0 A-RSR030N06HZGTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 700mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 85mOhms@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 380pF @ 10V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SC-96 TSMT3
连续漏极电流Id 3A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 85 毫欧 @ 3A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg 5nC@5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5nC @ 5V
库存与单价
库存 2,418 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.7981
100+ :  ¥2.2232
300+ :  ¥1.8495
500+ :  ¥1.7728
1,000+ :  ¥1.7153
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ5L030SNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 700mW(Ta) SC-96 150℃(TJ) 60V

¥2.7981 

阶梯数 价格
60: ¥2.7981
100: ¥2.2232
300: ¥1.8495
500: ¥1.7728
1,000: ¥1.7153
2,418 当前型号
RSR030N06HZGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3 车规

¥2.846 

阶梯数 价格
60: ¥2.846
100: ¥2.2807
161 对比
RSR030N06HZGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3 车规

暂无价格 0 对比

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