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RQ5E030AJTCL  与  RTR025N03TL  区别

型号 RQ5E030AJTCL RTR025N03TL
唯样编号 A33-RQ5E030AJTCL-3 A3t-RTR025N03TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
上升时间 - 15 ns
栅极电压Vgs ±12V 12V
封装/外壳 SC-96 TSMT
连续漏极电流Id 3A(Ta) 2.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 240pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 75mΩ@3A,4.5V 92mΩ@2.5A,4.5V
高度 - 0.85 mm
功率耗散Pd 1W(Tc) 1W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - RTR
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 220pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 28 - 35天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5011
100+ :  ¥2.434
300+ :  ¥1.8303
500+ :  ¥1.7153
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ5E030AJTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.434
300: ¥1.8303
500: ¥1.7153
500 当前型号
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 1 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比

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