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首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180GNTB代替型号比较

RQ3E180GNTB  与  AON7522E  区别

型号 RQ3E180GNTB AON7522E
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB A36-AON7522E
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 4mΩ@20A,10V
上升时间 6.9ns -
ESD Diode - Yes
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 31W
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
正向跨导 - 最小值 17S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 18A 34A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 10.2ns -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 2,775 15,166
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥5.8741
50+ :  ¥3.9384
100+ :  ¥3.2964
300+ :  ¥2.8652
500+ :  ¥2.7789
1,000+ :  ¥2.7215
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.243
1,250+ :  ¥1.111
2,500+ :  ¥1.0439
5,000+ :  ¥0.9889
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.8741 

阶梯数 价格
30: ¥5.8741
50: ¥3.9384
100: ¥3.2964
300: ¥2.8652
500: ¥2.7789
1,000: ¥2.7215
2,775 当前型号
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.0439
5,000: ¥0.9889
15,166 对比
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.1182 

阶梯数 价格
50: ¥1.1182
100: ¥0.7483
1,250: ¥0.6239
2,500: ¥0.5518
10,776 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.8899 

阶梯数 价格
60: ¥0.8899
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
1,619 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON6566 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 32A 25W 5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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