首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180GNTB代替型号比较

RQ3E180GNTB  与  AON6576  区别

型号 RQ3E180GNTB AON6576
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB-0 A36-AON6576
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 4.7mΩ@20A,10V
上升时间 6.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 26W
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
正向跨导 - 最小值 17S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 18A 32A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 10.2ns -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 104 818
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥5.1745
50+ :  ¥3.4785
100+ :  ¥2.9035
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.287 

阶梯数 价格
40: ¥1.287
100: ¥0.9861
1,250: ¥0.8227
2,500: ¥0.7475
5,000: ¥0.6921
9,205 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
818 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
TPH3R003PL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 90W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 175°C(TJ) 30 V 88A(Tc)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售