RQ3E180GNTB 与 AON6576 区别
| 型号 | RQ3E180GNTB | AON6576 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RQ3E180GNTB-0 | A-AON6576 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@18A,10V | 4.7mΩ@20A,10V | ||||||
| 上升时间 | 6.9ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 26W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 22.4nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 56.8ns | - | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 17S | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN 5x6 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 32A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 下降时间 | 10.2ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 16.5ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 104 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.8741
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104 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.551
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15,166 | 对比 | ||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
￥1.1182
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10,776 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥0.8899
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1,619 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 32A 25W 5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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