RQ3E180AJTB1 与 RQ3E180AJTB 区别
| 型号 | RQ3E180AJTB1 | RQ3E180AJTB | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RQ3E180AJTB1-1 | A3-RQ3E180AJTB | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.5mΩ@18A,4.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta),30W(Tc) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | - | 8-PowerVDFN | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 18A(Ta),30A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 11mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4290pF @ 15V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 100 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥5.6345
|
3,000 | 当前型号 | |||||||||||||||
|
RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥2.6442
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
