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RQ3E180AJTB1  与  RQ3E180AJTB  区别

型号 RQ3E180AJTB1 RQ3E180AJTB
唯样编号 A33-RQ3E180AJTB1-0 A33-RQ3E180AJTB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@18A,4.5V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta),30W(Tc)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id - 18A(Ta),30A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 11mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4290pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 4.5V
库存与单价
库存 340 2,234
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥5.0021
50+ :  ¥3.2868
100+ :  ¥2.7215
30+ :  ¥6.3244
50+ :  ¥3.5551
100+ :  ¥3.3731
500+ :  ¥3.1431
1,000+ :  ¥3.0377
2,000+ :  ¥2.8269
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180AJTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.0021 

阶梯数 价格
30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
2,234 对比
RQ3E180AJTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.0021 

阶梯数 价格
30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥5.7685 

阶梯数 价格
460: ¥5.7685
1,500: ¥3.6573
3,000: ¥2.6442
0 对比
RQ3E180AJTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

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