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RQ3E150GNTB  与  DMTH3004LFGQ-7  区别

型号 RQ3E150GNTB DMTH3004LFGQ-7
唯样编号 A33-RQ3E150GNTB A-DMTH3004LFGQ-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.1mΩ@15A,10V -
上升时间 5.8ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.5W(Ta),50W(Tc)
Qg-栅极电荷 15.3nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
典型关闭延迟时间 34.4ns -
正向跨导 - 最小值 13.5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 15A 15A(Ta),75A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~175℃(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 7.8ns -
典型接通延迟时间 11.6ns -
库存与单价
库存 1,468 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥1.9261
100+ :  ¥1.7153
500+ :  ¥1.7153
1,000+ :  ¥1.7057
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