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RQ3E130BNTB  与  AON7466  区别

型号 RQ3E130BNTB AON7466
唯样编号 A33-RQ3E130BNTB A-AON7466
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 7.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 25W
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 13A(Ta) 30A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 80 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
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