RQ3E120BNTB 与 DMG7430LFG-7 区别
| 型号 | RQ3E120BNTB | DMG7430LFG-7 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RQ3E120BNTB-0 | A36-DMG7430LFG-7 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.3mΩ@12A,10V | 11mΩ | ||||||||||||||
| 上升时间 | 30ns | 21.2ns | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2.2W | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 29nC | 26.7nC | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 46ns | 22.3ns | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | PowerDI | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 10.5A | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 系列 | - | DMG7430 | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | SingleTripleSourceQuadDrain | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1281pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26.7nC @ 10V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 下降时间 | 12ns | 5.1ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9ns | 5.2ns | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 1,081 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel |
￥4.8008
|
3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
AON7752 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V |
￥1.2821
|
4,722 | 对比 | ||||||||||||||
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
￥0.6919
|
1,081 | 对比 | ||||||||||||||
|
AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.2051
|
502 | 对比 | ||||||||||||||
|
NTTFS4929NTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||
|
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
