RQ3E120BNTB 与 AON7506 区别
| 型号 | RQ3E120BNTB | AON7506 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3E120BNTB-0 | A-AON7506 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.3mΩ@12A,10V | 9.8mΩ@12A,10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 30ns | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 20.5W | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 29nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 46ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | DFN 3x3 EP | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 12A | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 下降时间 | 12ns | - | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9ns | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel |
￥4.8008
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON7752 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V |
￥1.2821
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4,722 | 对比 | ||||||||||||||
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AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.2051
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502 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.0911
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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NVTFS4C13NWFTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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