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RQ3E100GNTB  与  AON6204  区别

型号 RQ3E100GNTB AON6204
唯样编号 A33-RQ3E100GNTB A-AON6204
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 22 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 12mΩ@10V
上升时间 4.3ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 18mΩ
Qg-栅极电荷 7.9nC -
Qgd(nC) - 1.4
栅极电压Vgs 2.5V 20V
正向跨导 - 最小值 8S -
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 10A 24A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 510
下降时间 3.1ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 15.8
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 31W
Qrr(nC) - 17
VGS(th) - 2.4
典型关闭延迟时间 22.4ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 8.4ns -
Coss(pF) - 220
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 348 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.664
100+ :  ¥2.0219
300+ :  ¥1.5907
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.664 

阶梯数 价格
60: ¥2.664
100: ¥2.0219
300: ¥1.5907
348 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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