RQ3E100GNTB 与 NTTFS4929NTWG 区别
| 型号 | RQ3E100GNTB | NTTFS4929NTWG | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3E100GNTB-1 | A-NTTFS4929NTWG | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ | - | ||||||||||
| 上升时间 | 4.3ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 7.9nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.4ns | - | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 8S | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 下降时间 | 3.1ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 8.4ns | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.664
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4929NTWG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6204 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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