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RQ3E080GNTB  与  AON7408  区别

型号 RQ3E080GNTB AON7408
唯样编号 A33-RQ3E080GNTB A36-AON7408
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 20mΩ@10V
上升时间 3.6ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Qg-栅极电荷 5.8nC -
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 7S -
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 8A 18A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 373
下降时间 2.4ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 15.8
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 11W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
典型关闭延迟时间 17.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 6.9ns -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 7.1
库存与单价
库存 1,659 906
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥1.4278
500+ :  ¥1.1116
1,000+ :  ¥1.0733
80+ :  ¥0.682
500+ :  ¥0.5759
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.4278 

阶梯数 价格
110: ¥1.4278
500: ¥1.1116
1,000: ¥1.0733
1,659 当前型号
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥0.682 

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80: ¥0.682
500: ¥0.5759
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