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RQ3E080GNTB  与  DMN3030LFG-7  区别

型号 RQ3E080GNTB DMN3030LFG-7
唯样编号 A33-RQ3E080GNTB A-DMN3030LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V -
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 900mW(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 18mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 751 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17.4 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 8A 5.3A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 1,659 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
110+ :  ¥1.4278
500+ :  ¥1.1116
1,000+ :  ¥1.0733
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.4278 

阶梯数 价格
110: ¥1.4278
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