RQ3C150BCTB 与 DMP2008UFG-7 区别
| 型号 | RQ3C150BCTB | DMP2008UFG-7 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RQ3C150BCTB-0 | A36-DMP2008UFG-7 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.7mΩ@15A,4.5V | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 20W(Tc) | 2.4W(Ta),41W(Tc) | ||||||||||||||||||
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 8mΩ@12A,4.5V | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 6909 pF @ 10 V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 72 nC @ 4.5 V | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | PowerDI3333-8 | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 30A(Tc) | 14A(Ta),54A(Tc) | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,424 | 1,998 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥6.8515
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2,424 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
¥3.465
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2,829 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.4W(Ta),41W(Tc) ±8V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 20V 14A(Ta),54A(Tc) |
¥2.145
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1,998 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |