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RQ3C150BCTB  与  FDMC510P  区别

型号 RQ3C150BCTB FDMC510P
唯样编号 A33-RQ3C150BCTB-0 A-FDMC510P
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V 8m Ohms@12A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-MLP(3.3x3.3)
连续漏极电流Id 30A(Tc) 12A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7860pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 116nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.679
50+ :  ¥4.7912
100+ :  ¥4.1684
500+ :  ¥3.7468
1,000+ :  ¥3.6701
2,000+ :  ¥3.603
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.679 

阶梯数 价格
30: ¥6.679
50: ¥4.7912
100: ¥4.1684
500: ¥3.7468
1,000: ¥3.6701
2,000: ¥3.603
3,000 当前型号
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
100: ¥1.661
1,000: ¥1.397
1,985 对比
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8-PowerWDFN MLP 8-MLP(3.3x3.3)

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