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RH6R025BHTB1  与  SI7818DN-T1-E3  区别

型号 RH6R025BHTB1 SI7818DN-T1-E3
唯样编号 A33-RH6R025BHTB1 A-SI7818DN-T1-E3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 PowerPAK® 1212-8
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 25A 2.2A(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@25A,10V 135 mOhms @ 3.4A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 59W 1.5W
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.7002
50+ :  ¥6.7077
100+ :  ¥6.0849
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥11.7002 

阶梯数 价格
20: ¥11.7002
50: ¥6.7077
100: ¥6.0849
100 当前型号
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PowerPAK®1212-8

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