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RH6P040BHTB1  与  RH6P040BHTB1  区别

型号 RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1
唯样编号 A33-RH6P040BHTB1 A-RH6P040BHTB1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 HSMT8
连续漏极电流Id 40A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 15.6mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 59W 59W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 30 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥11.0294
1+ :  ¥10.1103
100+ :  ¥5.0552
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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20: ¥11.0294
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¥5.0212 

阶梯数 价格
30: ¥5.0212
50: ¥4.1684
100: ¥3.718
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6989
2,000: ¥3.6797
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阶梯数 价格
20: ¥7.8576
50: ¥7.5701
100: ¥7.3785
500: ¥7.2827
1,000: ¥7.1868
2,000: ¥6.9952
4,000: ¥6.8994
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¥3.0377 

阶梯数 价格
50: ¥3.0377
100: ¥2.7119
500: ¥2.7023
1,000: ¥2.7023
2,000: ¥2.6831
4,000: ¥2.6735
4,795 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
100: ¥5.0552
100 对比

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