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RH6L040BGTB1  与  BSZ099N06LS5  区别

型号 RH6L040BGTB1 BSZ099N06LS5
唯样编号 A33-RH6L040BGTB1 A-BSZ099N06LS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.1mΩ@40A,10V 14mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
Ciss - 1000.0pF
Coss - 210.0pF
栅极电压Vgs ±20V 1.1V,2.3V
RthJA max - 60.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.0nC
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 HSMT8 -
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150°C -55.0°C
连续漏极电流Id 65A 40A
Ptot max - 36.0W
QG - 6.9nC
Budgetary Price €€/1k - 0.25
RthJC max - 3.5K/W
库存与单价
库存 59 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.6331
50+ :  ¥6.5448
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