RGW80TK65DGVC11 与 RGW80TK65GVC11 区别
| 型号 | RGW80TK65DGVC11 | RGW80TK65GVC11 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RGW80TK65DGVC11 | A33-RGW80TK65GVC11 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM | TO-3PFM | ||||||||||||||||
| 功率 | 81W | 81W | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C | -40°C~175°C | ||||||||||||||||
| 配置 | Single | Single | ||||||||||||||||
| 在25 C的连续集电极电流 | 39 A | 39 A | ||||||||||||||||
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V | 1.5 V | ||||||||||||||||
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V | 650 V | ||||||||||||||||
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V | 30 V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 30 | 30 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RGW80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM 81W -40°C~175°C |
￥60.6183
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30 | 当前型号 | ||||||||||
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RGW80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
81W TO-3PFM -40°C~175°C |
￥52.7799
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30 | 对比 | ||||||||||
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RGW80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
81W TO-3PFM -40°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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