RGCL80TK60DGC11 与 RGCL80TK60GC11 区别
| 型号 | RGCL80TK60DGC11 | RGCL80TK60GC11 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RGCL80TK60DGC11-0 | A32-RGCL80TK60GC11-1 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 160A | 160A | ||||||||||
| 栅极电荷 | 98nC | 98nC | ||||||||||
| 功率-最大值 | 57W | 57W | ||||||||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||||||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||||||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 53ns/227ns | 53ns/227ns | ||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 35A | 35A | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM,SC-93-3 | ||||||||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 1.8V @ 15V,40A | 1.8V @ 15V,40A | ||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V | 600V | ||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||||||
| 开关能量 | 1.11mJ(开),1.68mJ(关) | 1.11mJ(开),1.68mJ(关) | ||||||||||
| 测试条件 | 400V,40A,10 欧姆,15V | 400V,40A,10 欧姆,15V | ||||||||||
| 反向恢复时间(trr) | 58ns | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 421 | 330 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RGCL80TK60DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥9.8795
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421 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥19.2128
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450 | 对比 | ||||||||||||||
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RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥54.3711
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330 | 对比 | ||||||||||||||
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RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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