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RF4P060BGTCR  与  PMPB215ENEAX  区别

型号 RF4P060BGTCR PMPB215ENEAX
唯样编号 A33-RF4P060BGTCR-1 A-PMPB215ENEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HUML2020L8 (Single) SOT1220
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 2.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 230mΩ@1.9A,10V
漏源极电压Vds - 80V
输入电容 - 215pF
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W
输出电容 - 25pF
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 2,984 3,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
30+ :  ¥5.3949
50+ :  ¥3.4689
100+ :  ¥2.8269
300+ :  ¥2.3956
500+ :  ¥2.3094
1,000+ :  ¥2.2423
560+ :  ¥1.5335
1,000+ :  ¥1.1981
1,500+ :  ¥0.982
3,000+ :  ¥0.8539
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

¥5.3949 

阶梯数 价格
30: ¥5.3949
50: ¥3.4689
100: ¥2.8269
300: ¥2.3956
500: ¥2.3094
1,000: ¥2.2423
2,984 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2938
3,000: ¥0.26
4,877 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

¥0.5358 

阶梯数 价格
1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
1,000: ¥0.3171
1,500: ¥0.26
3,000: ¥0.226
3,001 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.5945 

阶梯数 价格
1,190: ¥1.5945
2,500: ¥1.307
5,000: ¥1.1365
0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

暂无价格 0 对比
PMPB215ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB215ENEA_SOT1220 N-Channel 230mΩ@1.9A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 2.8A 车规

¥1.5335 

阶梯数 价格
560: ¥1.5335
1,000: ¥1.1981
1,500: ¥0.982
3,000: ¥0.8539
3,000 对比

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