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RF4E110GNTR  与  PMPB20EN,115  区别

型号 RF4E110GNTR PMPB20EN,115
唯样编号 A33-RF4E110GNTR A36-PMPB20EN,115-1
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.3mΩ@11A,10V -
上升时间 5.5ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W
Qg-栅极电荷 7.4nC -
输出电容 - 90pF
栅极电压Vgs ±20V 20V,1.5V
典型关闭延迟时间 21ns -
正向跨导 - 最小值 6S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN2020-8 SOT1220
连续漏极电流Id 11A 10.4A
工作温度 -55°C~150°C 150℃
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输入电容 - 435pF
Rds On(max)@Id,Vgs - 19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V
下降时间 3ns -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 5 1,526
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6369
200+ :  ¥0.5187
1,500+ :  ¥0.4719
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

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1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
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80: ¥0.6787
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1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
3,308 对比

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