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首页 > 商品目录 > > > > RF4E110GNTR代替型号比较

RF4E110GNTR  与  74LVCH2T45GT,115  区别

型号 RF4E110GNTR 74LVCH2T45GT,115
唯样编号 A33-RF4E110GNTR-0 A-74LVCH2T45GT,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 变换器/转换器
描述 IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.3mΩ@11A,10V -
工作热阻 - 144,307
上升时间 5.5ns -
电源电压 - 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qg-栅极电荷 7.4nC -
传播延迟时间 - 2.5ns
栅极电压Vgs ±20V -
典型关闭延迟时间 21ns -
正向跨导 - 最小值 6S -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DFN2020-8 SOT833
连续漏极电流Id 11A -
工作温度 -55°C~150°C -40~125℃
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输出电流 - ± 24mA
通道数 - 2
下降时间 3ns -
典型接通延迟时间 9ns -
逻辑切换水平 - CMOS/LVTTL
库存与单价
库存 2,490 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥2.1369
100+ :  ¥1.7632
500+ :  ¥1.6866
1,000+ :  ¥1.6291
2,000+ :  ¥1.5811
1,260+ :  ¥1.3784
2,500+ :  ¥1.1298
5,000+ :  ¥1.0365
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.1369 

阶梯数 价格
80: ¥2.1369
100: ¥1.7632
500: ¥1.6866
1,000: ¥1.6291
2,000: ¥1.5811
2,490 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃

¥0.5632 

阶梯数 价格
90: ¥0.5632
200: ¥0.429
1,500: ¥0.3731
3,000: ¥0.3302
3,000 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃

¥0.3677 

阶梯数 价格
570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
3,000: ¥0.2067
2 对比
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) UF6 150°C(TJ) 20 V 10A(Ta)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.3784 

阶梯数 价格
1,260: ¥1.3784
2,500: ¥1.1298
5,000: ¥1.0365
0 对比
SSM6K504NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 30 V 9A(Ta)

暂无价格 0 对比

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