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RF4E075ATTCR  与  IRFHS8342TRPBF  区别

型号 RF4E075ATTCR IRFHS8342TRPBF
唯样编号 A33-RF4E075ATTCR-1 A-IRFHS8342TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 16 mO 4.2 nC SMT HexFet Power MosFet - PQFN 2 x 2 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.7mΩ@7.5A,10V 16mΩ@8.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerUDFN 8-PQFN(2x2)
连续漏极电流Id 7.5A(Ta) 8.8A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 15V 600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V 8.7nC @ 10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.1944
100+ :  ¥1.8111
500+ :  ¥1.744
1,000+ :  ¥1.6866
2,000+ :  ¥1.6386
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E075ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 7.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 21.7mΩ@7.5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN

¥2.1944 

阶梯数 价格
70: ¥2.1944
100: ¥1.8111
500: ¥1.744
1,000: ¥1.6866
2,000: ¥1.6386
3,000 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃

¥0.3677 

阶梯数 价格
570: ¥0.3677
1,000: ¥0.285
1,500: ¥0.2336
3,000: ¥0.2067
2 对比
IRFHS8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@8.5A,10V N-Channel 30V 8.8A 8-PQFN(2x2)

暂无价格 0 对比
SSM6J505NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2) 150°C(TJ) 12 V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
PMPB27EP,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB27EP_SOT1220 P-Channel 1.7W 150℃ 20V,-1.5V -30V -8.8A

¥1.4889 

阶梯数 价格
580: ¥1.4889
1,000: ¥1.1542
1,500: ¥0.9461
3,000: ¥0.8523
6,000 对比

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