RF4E070BNTR 与 PMPB100ENEX 区别
| 型号 | RF4E070BNTR | PMPB100ENEX | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RF4E070BNTR | A-PMPB100ENEX | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 | MOSFET DFN2020MD-6 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | 2W | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| 输出电容 | - | 34pF | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V,1.5V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HUML2020L8 | SOT1220 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 175°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 5.1A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 410pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 输入电容 | - | 157pF | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.9nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 28.6mΩ@7A,10V | 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥1.9165
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
￥1.2309
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1 | 对比 | ||||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
￥1.9463
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0 | 对比 | ||||||||||||
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BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
￥3.286
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80 | 对比 | ||||||||||||
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PMPB100ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A |
￥1.6818
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0 | 对比 |
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