首页 > 商品目录 > > > > RF4C100BCTCR代替型号比较

RF4C100BCTCR  与  SSM6J511NU,LF  区别

型号 RF4C100BCTCR SSM6J511NU,LF
唯样编号 A33-RF4C100BCTCR A-SSM6J511NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@10A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 12 V
Pd-功率耗散(Max) 2W -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.1 毫欧 @ 4A,8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3350 pF @ 6 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 47 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 6-UDFNB(2x2)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 14A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg 23.5nC@4.5V -
库存与单价
库存 2,548 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.7338
50+ :  ¥3.0281
100+ :  ¥2.4627
300+ :  ¥2.089
500+ :  ¥2.0124
1,000+ :  ¥1.9549
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55℃~150℃ 20V

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥3.0281
100: ¥2.4627
300: ¥2.089
500: ¥2.0124
1,000: ¥1.9549
2,548 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5632 

阶梯数 价格
90: ¥0.5632
200: ¥0.429
315 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5358 

阶梯数 价格
1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
1,000: ¥0.3171
1,500: ¥0.26
3,000: ¥0.226
2 对比
SSM6J511NU,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 6-UDFNB(2x2) -55°C ~ 150°C(TJ) 12 V 14A(Ta)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.5945 

阶梯数 价格
1,190: ¥1.5945
2,500: ¥1.307
5,000: ¥1.1365
0 对比
PMPB33XP,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB33XP_SOT1220 P-Channel 1.7W 150℃ 12V,-0.68V -20V -7.9A

¥1.293 

阶梯数 价格
560: ¥1.293
1,000: ¥1.0102
1,500: ¥0.828
3,000: ¥0.72
9,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售