RF4C050APTR 与 SSM6J501NU 区别
| 型号 | RF4C050APTR | SSM6J501NU | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-RF4C050APTR-0 | A-SSM6J501NU | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | -8V | - | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN | UDFN6B | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5500pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 26mΩ@5A,4.5V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 55nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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;;6.jpg)
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥4.9925
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J503NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J505NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SSM6J502NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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