RE1J002YNTCL 与 RUE002N05TL 区别
| 型号 | RE1J002YNTCL | RUE002N05TL | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RE1J002YNTCL-0 | A-RUE002N05TL | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 150mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.2Ω@200mA,4.5V | - | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 50V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 25pF @ 10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT3 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | - | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 1mA | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 800mV @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 26pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±8V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 0.9V,4.5V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.2V,4.5V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 200mA(Ta) | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 50V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 13,060 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RE1J002YNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±8V 150mW 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) EMTF N-Channel 50V 0.2A |
￥1.1499
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13,060 | 当前型号 | ||||||||||
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 14 | 对比 | ||||||||||
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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