尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > RD3L150SNFRATL代替型号比较

RD3L150SNFRATL  与  RSD150N06TL  区别

型号 RD3L150SNFRATL RSD150N06TL
唯样编号 A33-RD3L150SNFRATL A33-RSD150N06TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@15A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
Qg-栅极电荷 18 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 930pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 15A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 40 毫欧 @ 15A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 4,547 539
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥7.1198
50+ :  ¥5.4237
100+ :  ¥4.8583
500+ :  ¥4.475
1,000+ :  ¥4.3984
2,000+ :  ¥4.3409
4,000+ :  ¥4.3025
30+ :  ¥6.0753
50+ :  ¥4.3696
100+ :  ¥3.8043
500+ :  ¥3.4305
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规

¥7.1198 

阶梯数 价格
30: ¥7.1198
50: ¥5.4237
100: ¥4.8583
500: ¥4.475
1,000: ¥4.3984
2,000: ¥4.3409
4,000: ¥4.3025
4,547 当前型号
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.0753 

阶梯数 价格
30: ¥6.0753
50: ¥4.3696
100: ¥3.8043
500: ¥3.4305
1,000: ¥3.3539
2,000: ¥3.2964
2,500 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.0753 

阶梯数 价格
30: ¥6.0753
50: ¥4.3696
100: ¥3.8043
500: ¥3.4305
539 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售