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RD3L140SPFRATL  与  RSD140P06TL  区别

型号 RD3L140SPFRATL RSD140P06TL
唯样编号 A33-RD3L140SPFRATL-1 A33-RSD140P06TL-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 84mΩ@-14A,-10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -60V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id ±14A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 84 毫欧 @ 14A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 2,500 19,866
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥7.0048
50+ :  ¥5.4812
100+ :  ¥4.8871
300+ :  ¥4.4942
500+ :  ¥4.408
1,000+ :  ¥4.3505
30+ :  ¥6.1232
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.3505
300+ :  ¥3.9576
500+ :  ¥3.8713
1,000+ :  ¥3.8138
4,000+ :  ¥3.7659
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3L140SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规

¥7.0048 

阶梯数 价格
30: ¥7.0048
50: ¥5.4812
100: ¥4.8871
300: ¥4.4942
500: ¥4.408
1,000: ¥4.3505
2,500 当前型号
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

¥6.1232 

阶梯数 价格
30: ¥6.1232
50: ¥4.9542
100: ¥4.3505
300: ¥3.9576
500: ¥3.8713
1,000: ¥3.8138
4,000: ¥3.7659
19,866 对比
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
RSD140P06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
RSD140P06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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