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RCD080N25TL  与  AOD458  区别

型号 RCD080N25TL AOD458
唯样编号 A33-RCD080N25TL A36-AOD458
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7.1
Rds On(Max)@Id,Vgs 300m Ohms@4A,10V 280mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 4.6
栅极电压Vgs ±30V 30V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 CPT TO-252
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 8A 14A
Ciss(pF) - 637
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 150
Td(off)(ns) - 29
漏源极电压Vds 250V 250V
Pd-功率耗散(Max) 850mW(Ta),20W(Tc) 150W
Qrr(nC) - 1240
VGS(th) - 4.5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
Coss(pF) - 104
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 2,169 0
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥7.0144
50+ :  ¥5.3087
100+ :  ¥4.7433
500+ :  ¥4.36
1,000+ :  ¥4.2834
2,000+ :  ¥4.2259
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RCD080N25TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±30V 850mW(Ta),20W(Tc) 300m Ohms@4A,10V 150°C(TJ) CPT N-Channel 250V 8A

¥7.0144 

阶梯数 价格
30: ¥7.0144
50: ¥5.3087
100: ¥4.7433
500: ¥4.36
1,000: ¥4.2834
2,000: ¥4.2259
2,169 当前型号
STD8NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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