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RCD060N25TL  与  AOD8N25  区别

型号 RCD060N25TL AOD8N25
唯样编号 A33-RCD060N25TL A-AOD8N25
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 850mW(Ta),20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 530 毫欧 @ 3A,10V 560mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 250V 250V
Pd-功率耗散(Max) - 78W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6A(Tc) 8A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 15 2,490
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.449
100+ :  ¥1.7647
1,000+ :  ¥1.519
2,500+ :  ¥1.2
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RCD060N25TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

暂无价格 15 当前型号
AOD8N25 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 250V ±30V 8A 78W 560mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C

¥2.449 

阶梯数 价格
1: ¥2.449
100: ¥1.7647
1,000: ¥1.519
2,500: ¥1.2
2,490 对比
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暂无价格 0 对比

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