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R8010ANX  与  AOTF12N60  区别

型号 R8010ANX AOTF12N60
唯样编号 A33-R8010ANX A-AOTF12N60
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 13
宽度 10.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 560mΩ 550mΩ@10V
上升时间 54ns -
ESD Diode - No
Qg-栅极电荷 62nC -
Qgd(nC) - 17.9
栅极电压Vgs 3V 30V
正向跨导 - 最小值 2.2S -
Td(on)(ns) - 39
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 10A 12A
配置 Single -
Ciss(pF) - 1751
长度 15.4mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 25ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 25V -
Schottky Diode - No
高度 4.8mm -
Trr(ns) - 311
Td(off)(ns) - 122
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W 50W
Qrr(nC) - 5200
VGS(th) - 4.5
典型关闭延迟时间 97ns -
FET类型 - N-Channel
系列 R8010ANX -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 43ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
Coss(pF) - 164
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 125 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥31.8328
10+ :  ¥26.6966
50+ :  ¥23.6111
100+ :  ¥21.0334
暂无价格
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¥31.8328 

阶梯数 价格
5: ¥31.8328
10: ¥26.6966
50: ¥23.6111
100: ¥21.0334
125 当前型号
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¥10.494 

阶梯数 价格
5: ¥10.494
100: ¥8.888
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