R8006KNXC7G 与 STF9N80K5 区别
| 型号 | R8006KNXC7G | STF9N80K5 | ||||||
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| 唯样编号 | A33-R8006KNXC7G | A-STF9N80K5 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A | 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A N-ch TO-220FP | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | 52W(Tc) | - | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 650 pF @ 100 V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220FM | TO-220FP | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA | - | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 10 V | - | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 900 毫欧 @ 3A,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 6A(Ta) | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 800 V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 44 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥42.8717
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44 | 当前型号 | ||||||||
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STF9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPA80R900P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FCPF850N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6 A Tube N-Channel 850 m0hms 800 V 20V 4.5 V 800V 6A(Tc) ±20V 28.4W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FCPF850N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6 A Tube N-Channel 850 m0hms 800 V 20V 4.5 V 800V 6A(Tc) ±20V 28.4W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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