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R8005ANX  与  AOTF4T60P  区别

型号 R8005ANX AOTF4T60P
唯样编号 A33-R8005ANX A-AOTF4T60P
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.08Ω@2.5A,10V 2.1 Ω @ 2A,10V
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 35W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3F
连续漏极电流Id 5A(Tc) 4A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 15nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.3436
50+ :  ¥6.2286
100+ :  ¥6.104
500+ :  ¥6.0753
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阶梯数 价格
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