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R6520ENZC17  与  R6520ENZC8  区别

型号 R6520ENZC17 R6520ENZC8
唯样编号 A33-R6520ENZC17 A-R6520ENZC8
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 20A TO3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 68W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 205mOhms@9.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1.4nF @ 25V -
栅极电压Vgs - 4V@630uA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-3 TO-3PF
工作温度 150°C(TJ) 150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 630?A -
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 205 毫欧 @ 9.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 61nC@10V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 61nC @ 10V -
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥70.3157
10+ :  ¥37.3522
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6520ENZC17 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-3

¥70.3157 

阶梯数 价格
3: ¥70.3157
10: ¥37.3522
30 当前型号
R6520ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

20A(Tc) N-Channel 4V@630uA 68W(Tc) TO-3PF 150℃(TJ) 650V

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