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R6070JNZ4C13  与  R6076MNZ1C9  区别

型号 R6070JNZ4C13 R6076MNZ1C9
唯样编号 A33-R6070JNZ4C13 A-R6076MNZ1C9
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 55mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 740W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-247-3
连续漏极电流Id - 76A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7nF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 115nC
库存与单价
库存 550 30
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
2+ :  ¥124.5712
5+ :  ¥79.1986
10+ :  ¥73.5258
30+ :  ¥69.7503
50+ :  ¥68.9933
60+ :  ¥68.8017
100+ :  ¥68.428
200+ :  ¥68.1405
1+ :  ¥259.6897
100+ :  ¥150.1006
450+ :  ¥95.1638
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6070JNZ4C13 ROHM Semiconductor 未分类

¥124.5712 

阶梯数 价格
2: ¥124.5712
5: ¥79.1986
10: ¥73.5258
30: ¥69.7503
50: ¥68.9933
60: ¥68.8017
100: ¥68.428
200: ¥68.1405
550 当前型号
R6076MNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 76A(Tc) ±30V 740W(Tc) 55mΩ@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

¥75.9214 

阶梯数 价格
2: ¥75.9214
5: ¥73.8516
10: ¥72.4717
89 对比
R6076MNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 76A(Tc) ±30V 740W(Tc) 55mΩ@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 60 对比
R6076MNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 76A(Tc) ±30V 740W(Tc) 55mΩ@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

¥259.6897 

阶梯数 价格
1: ¥259.6897
100: ¥150.1006
450: ¥95.1638
30 对比

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