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R6055VNZ4C13  与  IPW60R060P7XKSA1  区别

型号 R6055VNZ4C13 IPW60R060P7XKSA1
唯样编号 A33-R6055VNZ4C13 A-IPW60R060P7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 55A TO-247, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 164W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.059Ω@15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 543W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2895pF @ 400V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 55A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 800uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 60 毫欧 @ 15.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 48A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥54.6868
10+ :  ¥46.4843
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