R6046FNZ1C9 与 IPW60R099C6 区别
| 型号 | R6046FNZ1C9 | IPW60R099C6 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6046FNZ1C9 | A-IPW60R099C6 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 46A TO247 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | 120W(Tc) | - | ||
| 宽度 | - | 5.21mm | ||
| 上升时间 | - | 12ns | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 119nC | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6230pF @ 25V | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||
| 封装/外壳 | TO-247 | - | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 37.9A | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 16.13mm | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 98 毫欧 @ 23A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 下降时间 | - | 6ns | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2660pF @ 100V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 1.21mA | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 90mΩ | ||
| 高度 | - | 21.1mm | ||
| 功率耗散Pd | - | 278W | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 75ns | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 系列 | - | CoolMOSC6 | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 46A(Tc) | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 119nC @ 10V | ||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 150nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6046FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥64.48
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3 | 当前型号 | ||||||||
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STW65N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥73.992
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600 | 对比 | ||||||||
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STW65N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 540 | 对比 | ||||||||
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STW40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥15.768
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500 | 对比 | ||||||||
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STW40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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