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R6046FNZ1C9  与  AOK42S60L  区别

型号 R6046FNZ1C9 AOK42S60L
唯样编号 A33-R6046FNZ1C9 A-AOK42S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 46A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.7
功率耗散(最大值) 120W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11.9
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6230pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-247 TO-247
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 39A
Ciss(pF) - 2154
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 98 毫欧 @ 23A,10V -
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 473
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
Qrr(nC) - 10.5
VGS(th) - 3.8
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 46A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
Coss(pF) - 135
Qg*(nC) - 40
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥64.48
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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