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R6030MNX  与  IPA65R190CFD  区别

型号 R6030MNX IPA65R190CFD
唯样编号 A33-R6030MNX-0 A-IPA65R190CFD
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@15A,10V 190mΩ
上升时间 - 8.4ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 34W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±30V 30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A(Tc) 17.5A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 6.4ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V 1850pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V 68nC @ 10V
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 500 500
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
4+ :  ¥45.871
10+ :  ¥22.6337
30+ :  ¥18.8582
50+ :  ¥18.1012
100+ :  ¥17.5358
300+ :  ¥17.1525
500+ :  ¥17.0759
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

¥45.871 

阶梯数 价格
4: ¥45.871
10: ¥22.6337
30: ¥18.8582
50: ¥18.1012
100: ¥17.5358
300: ¥17.1525
500: ¥17.0759
500 当前型号
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 10,000 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

¥6.6 

阶梯数 价格
8: ¥6.6
100: ¥5.28
1,000: ¥5.06
2,969 对比
IPA65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R190CFDXKSA1_-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 34W N-Channel

暂无价格 500 对比
AOTF20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO220F 50W

暂无价格 0 对比
SPA20N65C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA20N65C3XKSA1_650V 20.7A 190mΩ 20V 34.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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