R6024KNZ1C9 与 IPW65R190CFD 区别
| 型号 | R6024KNZ1C9 | IPW65R190CFD | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6024KNZ1C9 | A-IPW65R190CFD | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 5.21mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ | 190mΩ | ||||
| 上升时间 | 50ns | 8.4ns | ||||
| Qg-栅极电荷 | 45nC | 68nC | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | 30V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 6.5S | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 24A | 17.5A | ||||
| 配置 | Single | Single | ||||
| 长度 | - | 16.13mm | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V | ||||
| 下降时间 | 12ns | 6.4ns | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | 4.5V @ 730µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2000pF @ 25V | 1850pF @ 100V | ||||
| 高度 | - | 21.1mm | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 245W | 151W | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 60ns | - | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel | ||||
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 | ||||
| 典型接通延迟时间 | 30ns | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V | 68nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 28 | 240 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6024KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 24A 245W 150mΩ 600V 3V |
¥20.7747
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28 | 当前型号 | ||||||
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STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 197,880 | 对比 | ||||||
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STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 78,870 | 对比 | ||||||
|
IPW65R190CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||
|
STW27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOK27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |