首页 > 商品目录 > > > > R6024KNZ1C9代替型号比较

R6024KNZ1C9  与  IPW65R190CFD  区别

型号 R6024KNZ1C9 IPW65R190CFD
唯样编号 A33-R6024KNZ1C9 A-IPW65R190CFD
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ 190mΩ
上升时间 50ns 8.4ns
Qg-栅极电荷 45nC 68nC
栅极电压Vgs 3V 30V
正向跨导 - 最小值 6.5S -
封装/外壳 TO-247-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 24A 17.5A
配置 Single Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 12ns 6.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 4.5V @ 730µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V 1850pF @ 100V
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 245W 151W
典型关闭延迟时间 60ns -
FET类型 - N-Channel
通道数量 1Channel 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
典型接通延迟时间 30ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V 68nC @ 10V
库存与单价
库存 28 240
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
8+ :  ¥20.7747
10+ :  ¥20.2093
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 24A 245W 150mΩ 600V 3V

¥20.7747 

阶梯数 价格
8: ¥20.7747
10: ¥20.2093
28 当前型号
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥4.818 

阶梯数 价格
20: ¥4.818
600: ¥4.62
1,100 对比
IPW65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190CFDFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel

暂无价格 240 对比
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

¥7.227 

阶梯数 价格
7: ¥7.227
10: ¥5.555
108 对比
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥4.3362 

阶梯数 价格
20: ¥4.3362
27 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售