R6024KNJTL 与 AOB20S60L 区别
| 型号 | R6024KNJTL | AOB20S60L | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6024KNJTL | A-AOB20S60L | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@11.3A,10V | 199mΩ@10A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 245W(Tc) | 266W | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO263 | ||||
| 连续漏极电流Id | 24A(Tc) | 20A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | AOB | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1038pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19.8nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 25V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 68 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6024KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 245W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥16.1368
|
68 | 当前型号 | ||||||
|
STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
|
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
|
AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
