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R6020YNZ4C13  与  IPW60R165CP  区别

型号 R6020YNZ4C13 IPW60R165CP
唯样编号 A33-R6020YNZ4C13 A-IPW60R165CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 600V 20A, TO-247, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 192W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 21A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 120 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥51.4192
10+ :  ¥30.3571
50+ :  ¥24.6843
100+ :  ¥20.9088
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R6020YNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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