首页 > 商品目录 > > > > R6020YNXC7G代替型号比较

R6020YNXC7G  与  IPA60R180C7XKSA1  区别

型号 R6020YNXC7G IPA60R180C7XKSA1
唯样编号 A33-R6020YNXC7G A-IPA60R180C7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 12A TO-220FM, Fast switching power MOSFET MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 29W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.154Ω@12V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 62W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1080pF @ 400V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FM TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 12A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 260uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 180 毫欧 @ 5.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.3832
50+ :  ¥9.8412
100+ :  ¥9.2758
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020YNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 12A 0.154Ω@12V 62W

¥14.3832 

阶梯数 价格
20: ¥14.3832
50: ¥9.8412
100: ¥9.2758
100 当前型号
IPA60R180C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180C7_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
100: ¥3.553
1,000: ¥3.41
10,498 对比
STF24N60M6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 对比
IPA60R180C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180C7XKSA1_180mΩ 600V 9A TO-220 FullPAK N-Channel -55°C~150°C 3V,4V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售