首页 > 商品目录 > > > > R6020ENJTL代替型号比较

R6020ENJTL  与  AOB27S60L  区别

型号 R6020ENJTL AOB27S60L
唯样编号 A33-R6020ENJTL-0 A-AOB27S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V 160mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 8.8
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 31
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 20A(Tc) 27A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1294
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 440
Td(off)(ns) - 99
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 357W
Qrr(nC) - 7500
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
Coss(pF) - 80
Qg*(nC) - 26*
库存与单价
库存 520 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥39.0675
10+ :  ¥22.1833
30+ :  ¥17.9
50+ :  ¥17.0376
100+ :  ¥16.3955
300+ :  ¥15.9643
500+ :  ¥15.8781
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥39.0675 

阶梯数 价格
4: ¥39.0675
10: ¥22.1833
30: ¥17.9
50: ¥17.0376
100: ¥16.3955
300: ¥15.9643
500: ¥15.8781
520 当前型号
STB23NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB27NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 1,000 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
AOB27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售